akp kemalizm goygoyu yaparken euv litografiye geçen çin

bana bu işi kendi imkanlarıyla başarabilen tek bir avrupa ülkesi bile gösteremezsiniz,
tayvan daki tsmc bile hollanda menşeili, abd sübvansiyonlu asml ye bağımlı:


şimdi gelin endüstriyel devrimin en büyük lokomotiflerinden euv litografi alanında tasarlanan pahalı oyuncaklara kısaca bir göz atalım.

euv litografi tezgahları, en amiyane tabirle
samsung ve intel in dahi ithal olarak erişebildiği milyon dolarlık endüstriyel üretim araçlarıdır. cep telefonlarından, buz dolaplarına, hibrit otomobillerden otobüslere, akıllı şehir sistemlerinden kişisel bilgisayar ve sunuculara kadar, ram, gpu, cpu için gereken tüm yongalar bu cihazlarda imal ediliyor.

amd, nvidia, intel kendi gpu ve cpu cad tasarımlarını tsmc ye yollar.

tsmc de, asml den aldığı euv litografi tezgahlarıyla 3-5-7 nanometre düğüm teknolojisiyle transistör desenlerini silikon levhalara işler.

hollanda menşeili, abd sübvansiyonlu asml nin en son modelini referans alalım mesela.

ağırlık (kaç ton?)

twınscan nxe serisi (standart euv): yaklaşık 180 ton. bu makineler oldukça büyük ve karmaşıktır; nakliyesi için 20 kamyon veya 3 boeing 747 kargo uçağı gerekir.
twınscan exe serisi (high-na euv): yeni nesil high-na makineler yaklaşık 165 ton ağırlığındadır. bu modeller, daha büyük optik sistemler nedeniyle biraz farklı bir tasarıma sahiptir ve 250 mühendisin 6 ayda birleştirmesi gereken 250 kasa ile taşınır.
maliyet (kaç milyon dolar?)

twınscan nxe serisi (standart euv): modeline bağlı olarak yaklaşık 150-200 milyon dolar. örneğin, popüler twınscan nxe:3400d yaklaşık 183 milyon dolar civarındadır.
twınscan exe serisi (high-na euv): yeni nesil makineler daha pahalıdır ve yaklaşık 350-380 milyon dolar arasında fiyatlandırılır. gelecekte çıkacak hyper-na modellerinin ise 700 milyon dolara kadar çıkabileceği tahmin ediliyor (2030 civarı).
not: fiyatlar, konfigürasyona ve müşteri taleplerine göre değişebilir; nakliye, kurulum ve bakım maliyetleri hariçtir.

3. nanometre aralığı ve desteklenen düğüm teknolojileri

twınscan nxe serisi (standart euv):
çözünürlük: 13 nanometre (tek pozlama ile). çift pozlama (double patterning) ile 7 nm ve altına inebilir.
desteklenen düğüm teknolojileri: 7 nm, 5 nm ve 3 nm proses düğümleri. örneğin, tsmc’nin 5 nm ve 3 nm çipleri ile ıntel’in 7 nm çipleri bu makinelerle üretiliyor.
dalga boyu: 13.5 nm euv ışığı kullanır (lazerle eritilmiş kalay damlacıklarından plazma ile üretilir).
twınscan exe serisi (high-na euv):
çözünürlük: 8 nanometre (tek pozlama ile). bu, transistör yoğunluğunu 2.9 kat artırır ve daha küçük özellikler sağlar.
desteklenen düğüm teknolojileri: 2 nm ve altı proses düğümleri (örneğin, ıntel’in 18a (1.8 nm) ve tsmc’nin gelecekteki 1 nm düğümleri). high-na, 2025-2026’dan itibaren yüksek hacimli üretimi destekleyecek.
dalga boyu: yine 13.5 nm euv ışığı, ancak daha yüksek sayısal açıklık (na: 0.55) ile daha iyi çözünürlük sunar.
gelecekteki hyper-na euv (planlanan):
çözünürlük: 6-7 nm civarı hedefleniyor (na: 0.75-0.85 ile).
desteklenen düğüm teknolojileri: 1 nm ve daha küçük düğümler için potansiyel (2030 sonrası).

ek özellikler ve detaylar

üretim kapasitesi:
nxe serisi: saatte 125-170 wafer (çip levhası).
exe serisi: saatte 185 wafer’a kadar çıkabiliyor.
yapı: her makine 100.000’den fazla parçadan oluşur ve zeiss tarafından üretilen ultra düz aynalarla euv ışığını yönlendirir.
enerji tüketimi: 1 mw’ın üzerinde elektrik kullanır; bu, bir küçük kasabanın enerji tüketimine yakın bir değerdir.
boyut: bir otobüs büyüklüğünde olup, temiz oda (cleanroom) ortamlarında çalışır.

özet

ağırlık: 165-180 ton.
maliyet: 150-380 milyon dolar (hyper-na ile 700 milyon dolara kadar çıkabilir).
nanometre aralığı: 13 nm’den 8 nm’ye, gelecekte 6-7 nm’ye kadar.
desteklenen düğümler: 7 nm’den 1 nm ve altına kadar (modele göre).

#3488080 @civata ve somunun sözünü ettiği nanometre ölçeğindeki düğümlerden kasıt birbirinden bağımsız iki elemanın (transistörün mesela) birbirinden uzaklığıdır. (bir nanometre bir metrenin milyarda, bir milimetrenin milyonda biri kadar bir uzaklıktır.) yukarıda anlatılan makineler 1nm'ye kadar baskıya izin verdiğini söylese de halen 4nm altına etkin bir şekilde inilemedi. 4 nm altındaki baskılarda hatalı transistör oranı anormal yüksek. tek birwaferdan sadece tek bir sağlam chip noktasına kadar kötü verim. iyileştirmek için uv dalgaboyunu daha da düşürmek gerekeceğini söylüyor bilim adamları.
ama sonuçta her şey bir bilim kurgu filmi gibi. 1990'ların prima mikroişlemcisi 486'lar 1.6 milyon transistöre sahipken iphone7'nin çekirdeği 1.6milyar transistör taşıyor.
çin'in bu atağı yapmasının nedeni de abd'nin ambargosu. bu makinelerin çin'e satışına ambargo koydu. çinde ambargona sokayım deyip kendi makinesini kendi yaptı. bence çin'e atom bombası atsın abd.